磷酸钛氧铷(RbTiOPO4)是KTP同构晶体。RTP晶体透光波段350-4500nm, 具有较高的介电常数(ε=11)和电阻率(约1011-1012Ω·cm)，较高的激光损伤阈值（KTP晶体的1.8倍）和极低的压电振铃效应，很适用于激光的电光调制，包括Q开关、电光快门、相位调制器、选脉冲器 (Pulse Picker)、腔倒空器等<。
RTP是双轴晶体，为消除环境温度变化对折射率的影响，RTP电光器件通常采用两块长度和性能参数一致的晶体，光轴彼此垂直配对使用。这样的双晶结构器件可以在-50℃-+70℃环境中稳定工作 (但需保持两块晶体的温场一致）。同时，双晶串联使器件的调制电压进一步减半，使其更加适用于军用激光测照器和医疗激光器。
我公司RTP晶体电光调制器件的主要优势：
- Raicol公司从1995年开始批量生产RTP晶体电光器件，独特的熔盐提拉法生长技术和日益扩大的产能保证了优质充足的原晶储备，器件通光面可达15x15mm2，晶体内部质量均匀，消光比高；
- 领先的加工和镀膜技术，器件透过率高，插入损耗小，膜层损伤阈值高；
- 极低的压电振铃效应，调制频率可达1MHz，配套各种高压驱动，支持高频运转。
我公司RTP晶体电光调制器件的标准规格：
- 通光口径：2x2mm2- 15×15mm², 有效通光孔径85%
- 器件对应用波长透过率> 98.5%
- 消光比＞23 dB，安装调节角度（水平+俯仰）＜1.5°
- 调制电压误差：±10%
*部分典型器件半波电压的理论值(@1064nm 室温):
15×15×25（10+10）mm³ 6000V 10×10×25（10+10）mm³ 4000V
8×8×25（10+10）mm³ 3200V 6×6×25（10+10）mm³，2400V
4×4×25（10+10）mm³，1600V 3×3×25（10+10）mm³ 1000V
3×3×30 mm³ 660V (单片晶体使用，需温控)
- 晶体端面增透膜：R <0.2% @ 使用波长
膜层损伤阈值 > 600 MW/cm2@ 1064nm 10ns 10Hz
注意：对于RTP双晶结构器件，激光强点造成的单面损伤会导致整个器件失效且无法修复。
RTP晶体电光调制器件可依使用要求订制，详情请联系我们。
