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  • RTP电光晶体
  • LiNbO₃电光晶体
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    磷酸钛氧铷(RbTiOPO4)属KTP族非线性光学晶体。RTP晶体的透光波段350-4500nm。因其具有较高的介电常数 (ε=11)和电阻率 (约1011-1012Ω·cm),较高的抗激光损伤阈值(>900MW/cm² @ 1064nm)和极低的压电振铃效应,非常适合激光的电光调制应用,包括调Q开关、电光快门、相位调制器、选脉冲器 (Pulse Picker)腔倒空器等。
     
    我公司提供多种通光面尺寸和适用波长(450-3000nm)的RTP晶体电光调制器件,可满足绝大多数激光调制需要。尤其擅长大批量订制,产品性能具备很好的一致性。由于RTP是双轴晶体,为补偿环境温度变化带来的影响,RTP电光器件需要采用两块长度和性能参数一致的晶体,光轴互相垂直配对使用。这样的双晶结构器件,装调较单片晶体器件略微繁琐,而且价格相对昂贵。但双晶器件可以稳定工作于-50℃-+70℃ (需保持两片晶体温场一致),同时双晶串联使器件的调制电压进一步减半,因此越来越多地应用于复杂环境条件或医疗激光调制中。
     

        我公司RTP晶体电光调制器件的主要优势:

    1.Raicol公司自1995年为固体激光器提供RTP晶体电光器件,具备独特且非常成熟的熔盐提拉生长技术。不断扩大的产能保证了充足的原晶储备,晶体内部质量均匀,器件消光比高(>23dB),可供器件最大截面15x15mm²;

    2.领先的加工和镀膜技术,器件对应用波长透过率高 (>98.5%),插入损耗小,损伤阈值高。
    3.极低的压电振铃效应,调制频率可达1MHz。
    RTP原晶和成型坯料
     
    RTP晶体电光调制器件
     
    我公司RTP晶体电光调制器件的标准规格:
    1.通光口径:2x2mm²- 15×15mm², 有效通光孔径85%
    2.器件对应用波长透过率:> 98.5%
    3.消光比 >23 dB
    4.安装调节角度(水平+俯仰)<1.5°
    5.调制电压误差:±10%
    部分典型器件半波电压的理论值 (@1064nm 室温):
    15×15×25(10+10)mm³ 6000V
    10×10×25(10+10)mm³ 4000V
    8×8×25(10+10)mm³ 3200V
    6×6×25(10+10)mm³,2400V
    4×4×25(10+10)mm³,1600V
    3×3×25(10+10)mm³  1000V
    3×3×30 mm³660V (单片晶体使用,需温控)
    6.晶体端面增透膜:R < 0.2% @ 使用波长
    损伤阈值 > 600 MW/cm²@ 1064nm 10ns 10Hz
    注意:对于RTP双晶结构器件,激光强点造成的单面损伤会导致整个器件失效且无法修复。

    RTP晶体电光调制器件可依照使用要求订制不同的封装外形,详情请联系我们